蔵書情報
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書名 |
3次元実装のためのTSV技術
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著者名 |
傳田 精一/著
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著者名ヨミ |
デンダ セイイチ |
出版者 |
工業調査会
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出版年月 |
2009.7 |
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資料情報
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No. |
所蔵館 |
資料番号 |
請求記号 |
所蔵場所 |
配架場所 |
帯出区分 |
状態 |
貸出
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1 |
ミライon | 1117562594 | 549.8/デ-09/ | 3F | 閉架図書 | 帯出可 | 在庫 |
○ |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書(一般) |
著者名 |
傳田 精一/著
|
著者名ヨミ |
デンダ セイイチ |
出版者 |
工業調査会
|
出版年月 |
2009.7 |
ページ数 |
237p |
大きさ |
21cm |
ISBN |
4-7693-1286-4 |
分類記号 |
549.8
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書名 |
3次元実装のためのTSV技術 |
書名ヨミ |
サンジゲン ジッソウ ノ タメ ノ ティーエスヴイ ギジュツ |
副書名 |
Through Silicon Via |
副書名ヨミ |
スルー シリコン ヴィア |
内容紹介 |
半導体テクノロジーの新領域を拓くと期待されているシリコン貫通電極(TSV)技術について、その重要性、基本製作プロセス、作成技術、代表的なデバイス、電気的特性と熱特性など、さまざまな角度から検討する。 |
内容細目
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