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資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
No. |
所蔵館 |
資料番号 |
請求記号 |
所蔵場所 |
配架場所 |
帯出区分 |
状態 |
貸出
|
1 |
ミライon | 1118396343 | 549.8/ハ-11/ | 3F | 開架図書 | 帯出可 | 在庫 |
○ |
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
書誌種別 |
図書(一般) |
著者名 |
松波 弘之/編著
大谷 昇/編著
木本 恒暢/編著
中村 孝/編著
|
著者名ヨミ |
マツナミ ヒロユキ オオタニ ノボル キモト ツネノブ ナカムラ タカシ |
出版者 |
日刊工業新聞社
|
出版年月 |
2011.9 |
ページ数 |
533p |
大きさ |
21cm |
ISBN |
4-526-06754-9 |
分類記号 |
549.8
|
書名 |
半導体SiC技術と応用 第2版 |
書名ヨミ |
ハンドウタイ エスアイシー ギジュツ ト オウヨウ |
内容紹介 |
SiC(シリコンカーバイド)を用いたパワーデバイスは世界的に注目され、本格的な応用期を迎えようとしている。省電力・高速・高温動作性などで高性能を持つ半導体SiCの基礎から応用までをわかりやすく解説する。 |
著者紹介 |
〈松波弘之〉京都大学名誉教授。専門は半導体材料工学。 |
内容細目
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